一、項目基本概況
項目名稱：第三代半導體氮化鎵新材料研發生產及FAB半導體產業合作共建園區發展項目
項目地址：山西轉型綜改示范區
項目類型：電子信息產業
總 投 資：86億元
二、市場前景
全球能夠規�；a氮化鎵晶片的公司屈指可數，我國政府近年來不斷加大對半導體行業的重視，將半導體行業定位為戰略型新興產業。半導體產業從設計、制造、封裝到設備、材料，產業鏈上所有環節將引來新的發展機遇。
項目投產后一方面彌補我國氮化鎵技術上和市場上空白，滿足對氮化鎵芯片核心元器件的迫切需求，另一方面銷往韓國LG等公司，迅速占領國內、國際市場。
三、建設內容和規模
1.建設氮化鎵種子和氮化鎵襯底片生產基地，設立半導體材料研究院及半導體/Led產教融合中心。
2.打造國際一流、國內最大的氮化鎵生產基地和半導體高新技術人才的聚集地。
3.并與臺灣群創光電FAB等公司合作，引進國際國內半導體相關企業。
4.對氮化鎵上下游產業進行研發、相關設備制造及批量化生產，形成半導體及光電產業研發、生產、教育一體的專業園區。
四、優勢分析
行業優勢：屬于示范區重點引進的新材料產業集群項目。
產業聚集：周邊聚集了一批如山西大學光電研究所彭堃犀實驗室、富士康科技工業園等企業、院校、科研機構。
人才優勢：
1.組建了由中韓兩國專家為骨干的技術研發團隊。
2.專注氮化鎵芯片、MOCVD/LPE/HVPE裝備設計制造、外延工藝等方面研發。
3.2018年8月，公司擁有的4-8英寸可批量生產氮化鎵HVPE設備在中國申請專利，并通過專利局審核。
五、項目進度
該項目由山西阿斯卡半導體有限公司以商招商，目前已經獲得了技術專利。
六、效益預測
建成投產后，預計年總產值156億元，稅收15億元。
七、招商目標
招商對象：金融機構
引資金額：80億元
招商模式：本項目擬通過技術合作的方式招商。
八、配套條件
按照“雙承諾制”流程，營造“六最”營商環境。
九、優惠政策
1、采用“一企一策、一事一議”方式給予專項支持：為企業代建廠房，建成后企業租用，5年內免租金；免費提供200m2辦公場地，期限兩年等。
2、按照示范區“雙承諾制”流程，采用一顆印章管審批、一個大廳管服務、一支隊伍管執法方式，以“一網通辦”為主線，保障項目順利實施。
十、聯系方式
招商單位：山西阿斯卡半導體有限公司
聯 系 人：閆瑞芳
聯系方式：13073595555
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網絡編輯：蕭 然
